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第二百七十一章 成功了!光刻工厂实现了!

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“我们没有单独完整的SOC上帝芯片光掩膜版,只能用两块阴阳掩膜版堆叠在一块形成完整图案,这又会出现个问题。”

林天喃喃自语。

像似给陈星几人解释,又像似说给自己听。

“那就是两块光掩膜版堆叠,两块透明基板会削弱极紫外光能量,导致光刻失败。”

“为了解决这个问题,我加大了粒子加速器的功率,让电子运动的速度再次增加。”

“理论上来说,运行功率的加大,会同步放大电子运动的速度,电子在环形存储器的速度越快,辐射出的极紫外光能量就越强,但我并不能确定这个数值是不是正确的,只能说理论可行。”

光刻工厂没有人测试过,谁也不知道行不行。

现在又因为光掩膜版限制,林天只能加大功率,这给测试又增添了不小的难度。

“试试就知道了。”

陈星默默举起手机拍摄。

虽然他们在操控室,但面前的屏幕有显示洁净室的画面,根本不需要亲自前往。

林天微微颔首,没有说话,他双眸注视着监控画面,神色也显得格外紧张。

烘干冷却,涂满光刻胶的半导体硅片已经被运往了光刻区域,只剩下最后的光刻步骤。

随着透镜组移动到指定位置,13.5纳米波长的极紫外光发生了折射,精准地照射在两块图案互补的光掩膜版上,而光掩膜版上面的完整图案被照射后,最终落到待曝光的半导体硅片表面。

“滋——”

ArF光刻胶遇到光源,内部开始发生化学反应。

而ArF光刻胶又分正胶和反胶,这次曝光用的是正胶,被曝光区域的光刻胶会发生化学反应,没曝光区域则不受到影响。

一块区域被曝光后,透镜组立马移动,侧开照射光源,待移动平台调整后继续移回正位,对下一个区域进行光刻曝光。

12寸半导体硅片,大概能产出232块1.6×1.6的成品裸片,也就是说需要曝光232次。

目前来说,曝光一次的速度大概在1秒,这就需要232秒,也就是差不多4分钟才能把一张半导体硅片全部曝光完成。

虽然这个速度相比较于光刻机慢了差不多一倍,可光刻工厂毕竟是国产自研,而且是第一代产物,后续透镜组和移动平台还能继续优化,追赶上光刻机的光刻速度不是不可能的。

在等待了四分钟后,林天看向陈星等人解释道:“


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